540

Descripción

El IRF540 es un MOSFET de potencia HEXFET de canal único N de 100V en encapsulado TO-220. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 28 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 110 A
  • Corriente de avalancha IAR: 16 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 130 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 77 mΩ
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220

Aplicación:

irf540b.jpg

Ficha técnica

IRF540 TMOS n 28 A 100V 0.077r [to220]

mosfet 100v


Código:
IRF540
$51


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